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化學(xué)氣相沉積MOCVD

簡要描述:vMOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號

廠商性質(zhì)

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更新時間

2024-10-22

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詳細(xì)介紹

v MOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式,經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室,進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長出薄膜材料

v 應(yīng)用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等

v 從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)

v 襯底尺寸:3x2 inch、1x4 inch1x3 inch、1x2 inch

通過載波交換實現(xiàn):6 x 2 inch3 x 3 inch、1 x 6 inch

v Ga2O3薄膜生長速率:>3um/h

v Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范圍由AFMGa2O3襯底上測量 ≤1.0 nm

v 加熱系統(tǒng):采用鎢絲加熱,三溫區(qū)控制,溫度至1400

v 反應(yīng)腔室內(nèi)托盤與噴淋頭間距可調(diào)(范圍覆蓋5 mm25 mm

v 工藝過程中,具有實時晶圓表面溫度和晶圓翹曲度監(jiān)測功能

v 搭載溫度監(jiān)測系統(tǒng),可實時掃描晶圓溫度mapping

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